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X-FAB: Verdoppelung der BCD-on-SOI-Wafer-Kapazität in Malaysia
X-FAB eröffnet neuen Reinraum in Malaysia und steigert die Kapazität für 180-nm-BCD-on-SOI-Halbleiter um mehr als das Doppelte.
Fabs
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FMD: Start der EU-Chipdesign-Plattform
Cloud-Plattform erleichtert Zugang zu Halbleiterdesign-Infrastruktur, Ausbildung und Kapital für fabriklose Halbleiter-Start-ups, KMUs und die Forschung.
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Infineon: Bund gibt grünes Licht für neue Dresden-Fab
Infineon hat die abschließende Bestätigung des Bundeswirtschaftsministeriums für die Förderung seiner Smart Power Fab in Dresden erhalten.
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ST: Details zur Umstrukturierung der Fertigung und Kosteneinsparungen
3-Jahresplan sieht Abbau von mehr als 2.800 Mitarbeitern und Fokus von Investitionen auf 300-mm-Silizium- und 200-mm-SiC-Produktion sowie F&E vor.
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IQE/X-FAB: Entwicklungsvereinbarung für GaN-Halbleiter
Unternehmen entwickeln gemeinsam eine marktreife GaN-Leistungshalbleiterplattform mit einem skalierbaren, ausgelagerten Fertigungsmodell.
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TSMC: Richtfest für zweite Phase der 2-nm-Fab 22 in Taiwan
Die 2-nm-Prozesstechnologie von TSMC soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 am Fab-Standort in Taiwan in die Volumenproduktion gehen.
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TSMC: Pläne für Investitionen in den USA auf 165 Mrd. US-Dollar erhöht
TSMC plant zusätzliche drei Produktionsstätten, zwei fortschrittliche Verpackungsanlagen und ein Forschungs- und Entwicklungszentrum in den USA
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Infineon: Start der Auslieferung erster SiC-Produkte auf Basis der 200-mm-Technik
Infineon liefert im ersten Quartal 2025 erste SiC-Leistungshalbleiter aus der 200-mm-Fertigung in Villach aus und liegt damit im Plan.
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Bosch will SiC-Fab in USA bauen
Die vorgeschlagenen Mittel aus dem CHIPS and Science Act würden die Umstellung der Anlage in Roseville, Kalifornien, auf die Herstellung von Siliziumkarbid-Halbleitern unterstützen.
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Nexperia: 184 Mio. € für Standort Hamburg
Ausbau der F&E- und Produktionskapazitäten für Wide-Bandgap-Halbleiter.