TSMC: Richtfest für zweite Phase der 2-nm-Fab 22 in Taiwan

TSMC-Fab im Southern Taiwan Science Park in Kaohsiung. © TSMC

TSMC hat im Southern Taiwan Science Park (STSP) das Richtfest für die zweite Phase der 2-Nanometer-Kapazitätserweiterung von Fab 22 gefeiert. Die 2-nm-Prozesstechnologie des Unternehmens soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 in die Massenproduktion gehen, und der Expansionsplan verläuft bisher reibungslos. TSMCs Fab 22 in Kaohsiung ist eine Schlüsselanlage für die Versorgung mit 2-nm-Halbleitern.

Der Plan für TSMC Fab 22 sieht vor, dass die Reinräume in jeder Phase doppelt so groß sind wie in einer Standard-Fabrik für Logik-Wafer. Mit der fünften und letzten Phase soll die gesamte Reinraumfläche auf 280.000 Quadratmeter anwachsen, was darauf hindeutet, dass das Halbleiterunternehmen mit einer enormen Nachfrage nach Bauelementen rechnet, die im bisher kleinsten Prozessknoten von TSMC gefertigt werden.

Neben der Erweiterung der 2-nm-Kapazität im Southern Taiwan Science Park schreitet auch der Ausbau im Hsinchu Science Park planmäßig voran.

Die Entwicklung der 2-nm-Technologie verläuft laut TSMC nach Fahrplan und macht gute Fortschritte. Im Vergleich zur verbesserten N3E-Technik der Vorgängergeneration soll die 2-nm-Technik N2 von TSMC eine Geschwindigkeitssteigerung von 10 bis 15 Prozent bei gleichem Stromverbrauch oder eine Reduzierung des Stromverbrauchs um 25 bis 30 Prozent bei gleicher Geschwindigkeit bieten (jr)

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