Der Gate-Treiber BD2311NVX-LB von Rohm ermöglicht die Gate-Ansteuerung von GaN-Bauelementen im Nanosekundenbereich und ist damit ideal für Hochgeschwindigkeits-GaN-Schaltungen geeignet. Das Ergebnis ist ein schnelles Schalten mit einer minimalen Gate-Eingangspulsbreite von 1,25 ns. Dies trägt zu kleineren, energieeffizienteren und leistungsfähigeren Anwendungen bei.
Da GaN-Bauelemente empfindlich auf Überspannungen am Gate-Eingang reagieren, hat Rohm eine Methode zur Unterdrückung von Gate-Überspannungen entwickelt und in die neuen Treiber implementiert.
Tests der Nationale Zentraluniversität Taiwan haben gezeigt, dass der BD2311NVX im Vergleich zu anderen Treiber-ICs eine kürzere Anstiegszeit und geringere Schwingungen bei einer Schaltfrequenz von 1 MHz für Aufwärtswandler aufweist. (jr)
