Technologie-Radar
Power Integrations: Erste 2.200-V-GaN-Technik
Erreichter Fortschritt erweitert den Einsatzbereich von GaN auf Spannungsbereiche, die bisher SiC vorbehalten waren.
Galliumnitrid (GaN)
Technologie-Radar
On-Board-Ladesysteme mit bidirektionalen GaN-Halbleitern
Das HiPower 5.0-Konsortium arbeitet noch bis zum Juni 2028 an einem 22-kW-OBC mit einem Bauvolumen von vier Litern und einer europäischen Wertschöpfungskette.
News
Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter
Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.
Fachberichte & White Paper
White Paper: Entwurfs- und Verifikationsansatz für das Design von Leistungsmodulen
Der Siemens-Beitrag stellt wichtige Aspekte des Moduldesigns vor und wie Siemens-Tools dabei helfen können, mit weniger Prototypen auszukommen.
Branchen-News
Infineon: 300-Millimeter-GaN-Wafer
Infineon nutzt bestehende 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung für GaN-Produktion und maximiert so die Effizienz des Kapitaleinsatzes.
Fachbücher
Fachbuch: GaN Technology
Dieses Buch erklärt die praktischen Anwendungen und theoretischen Grundlagen des Schaltungsentwurfs mit Galliumnitrid (GaN)-Bauelementen.
Technologie-Radar
GaN-Halbleiter für Betriebsumgebungen jenseits von 300 °C
Forschende haben festgestellt, dass Galliumnitridtransistoren in Hochtemperaturanwendungen mit Temperaturen von 500 °C standhalten können.
News
ADI: Treiber für GaN-FETs
100-V-GaN-Halbbrückentreiber mit integriertem intelligenten Bootstrap-Schalter
Branchen-News
Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm
Mit der Übernahme erweitert Renesas sein Portfolio um Galliumnitrid-Leistungshalbleiter.
News
Rohm: Schneller Gate-Treiber für GaN-Bauelemente
Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich ermöglicht weitere Energieeinsparungen und Miniaturisierung in LiDAR-Anwendungen.