Galliumnitrid (GaN) Archive

Infineon: Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern

27. Oktober 2026

Infineon investiert 1,1 Mrd. € in Villach und errichtet die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern.

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Porsche: High-End Soundsystem mit GaN-Halbleitern

1. September 2026

Porsche bringt Galliumnitrid erstmals in ein High-End-Audiosystem. Die GaN-Technologie reduziert Verluste und Wärme und ermöglicht einen leichteren, kompakteren Verstärker.

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Power Integrations: Erste 2.200-V-GaN-Technik

6. August 2026

Erreichter Fortschritt erweitert den Einsatzbereich von GaN auf Spannungsbereiche, die bisher SiC vorbehalten waren.

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On-Board-Ladesysteme mit bidirektionalen GaN-Halbleitern

29. April 2026

Das HiPower 5.0-Konsortium arbeitet noch bis zum Juni 2028 an einem 22-kW-OBC mit einem Bauvolumen von vier Litern und einer europäischen Wertschöpfungskette.

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Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter

31. Oktober 2025

Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.

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White Paper: Entwurfs- und Verifikationsansatz für das Design von Leistungsmodulen

31. Januar 2025

Der Siemens-Beitrag stellt wichtige Aspekte des Moduldesigns vor und wie Siemens-Tools dabei helfen können, mit weniger Prototypen auszukommen.

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Infineon: 300-Millimeter-GaN-Wafer

11. September 2024

Infineon nutzt bestehende 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung für GaN-Produktion und maximiert so die Effizienz des Kapitaleinsatzes.

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Fachbuch: GaN Technology

26. August 2024

Dieses Buch erklärt die praktischen Anwendungen und theoretischen Grundlagen des Schaltungsentwurfs mit Galliumnitrid (GaN)-Bauelementen.

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GaN-Halbleiter für Betriebsumgebungen jenseits von 300 °C

6. Juni 2024

Forschende haben festgestellt, dass Galliumnitridtransistoren in Hochtemperaturanwendungen mit Temperaturen von 500 °C standhalten können.

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ADI: Treiber für GaN-FETs

1. März 2024

100-V-GaN-Halbbrückentreiber mit integriertem intelligenten Bootstrap-Schalter

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

Galliumnitrid (GaN)