News
Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter
Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.
Galliumnitrid (GaN)
Fachberichte & White Paper
White Paper: Entwurfs- und Verifikationsansatz für das Design von Leistungsmodulen
Der Siemens-Beitrag stellt wichtige Aspekte des Moduldesigns vor und wie Siemens-Tools dabei helfen können, mit weniger Prototypen auszukommen.
Branchen-News
Infineon: 300-Millimeter-GaN-Wafer
Infineon nutzt bestehende 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung für GaN-Produktion und maximiert so die Effizienz des Kapitaleinsatzes.
Fachbücher
Fachbuch: GaN Technology
Dieses Buch erklärt die praktischen Anwendungen und theoretischen Grundlagen des Schaltungsentwurfs mit Galliumnitrid (GaN)-Bauelementen.
Technologie-Radar
GaN-Halbleiter für Betriebsumgebungen jenseits von 300 °C
Forschende haben festgestellt, dass Galliumnitridtransistoren in Hochtemperaturanwendungen mit Temperaturen von 500 °C standhalten können.
News
ADI: Treiber für GaN-FETs
100-V-GaN-Halbbrückentreiber mit integriertem intelligenten Bootstrap-Schalter
Branchen-News
Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm
Mit der Übernahme erweitert Renesas sein Portfolio um Galliumnitrid-Leistungshalbleiter.
News
Rohm: Schneller Gate-Treiber für GaN-Bauelemente
Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich ermöglicht weitere Energieeinsparungen und Miniaturisierung in LiDAR-Anwendungen.
Technologie-Radar
Infineon startet EU-Projekte für Leistungselektronik und KI
Forschungsprojekte sollen helfen, das Potenzial von GaN- Leistungshalbleitern und KI-Technologien freizusetzen.
News
VisIC: GaN-basierter 3-Phasen-Traktionsumrichter besteht Motorprüfstandtest
Das israelische Fabless-IC-Design-Unternehmen hat sein 2,2mΩ-650V-Halbbrücken-Leistungsmodul erfolgreich in einer 3-Phasen-Konfiguration auf einem Prüfstand mit einem Permanentmagnet-Synchronmotor-Motor bei einem großen Automobilhersteller getestet.