Die 1.200 V-Variante der CoolSiC-Trench-MOSFET-Familie zeichnet sich durch effizientes Schaltverhalten aus, da sie im Vergleich zur ersten Generation um 25 Prozent geringere Schaltverluste aufweist. Mit einer Gate-Source-Schwellenspannung (V GS(th)) von über 4 V und einem sehr niedrigen Verhältnis zwischen der Rückwirkungskapazität (C rss) und Eingangskapazität (C iss) ermöglicht die neue Generation ein zuverlässiges Abschalten bei V GS = 0 V ohne das Risiko parasitärer Einschaltvorgänge. Darüber hinaus zeichnet sich die neue Generation durch einen niedrigen Einschaltwiderstand (R DS(on)) aus, der die Leitungsverluste über den gesamten Temperaturbereich von -55°C bis 175°C verringert.
Durch eine verbesserte Anbindung an das Kühlsystem wird die Sperrschichttemperatur des Siliziumkarbid-MOSFETs im Vergleich zur ersten Generation um 25 Prozent reduziert. Zudem weist die Leistungselektronikbaustein eine Kriechstrecke von 5,89 mm auf und erfüllt somit die Anforderungen für 800-V-Systeme auf Gehäuseebene, ohne dass zusätzliche Beschichtungsschritte in der Anwendung erforderlich sind.
Infineon bietet eine Vielzahl von R DS(on) -Varianten an, um eine optimale Anpassung an die spezifischen Anforderungen verschiedener Anwendungen zu gewährleisten. Darunter die einzige derzeit auf dem Markt erhältliche 9 mΩ-Variante im TO263-7-Gehäuse. (jr)
