Infineon und Schweizer vertiefen Zusammenarbeit beim SiC-Chip-Embedding

Durch die direkte Einbettung von SiC-Leistungshalbleitern in die Leiterplatte lassen sich höhere Wirkungsgrade erreichen. ©Infineon

Die Partner entwickeln eine Lösung, um 1200-V-CoolSiC-Chips von Infineon direkt in Leiterplatten einzubetten. Durch den damit realisierbaren höheren Wirkungsgrad können so die Reichweite von Elektroautos erhöht und die Gesamtsystemkosten gesenkt werden.

Beide Unternehmen haben das Potenzial des neuen Ansatzes bereits unter Beweis gestellt: Sie konnten einen 48 V MOSFET in eine Leiterplatte einbetten. Das führte zu einer Leistungssteigerung von 35 Prozent. Schweizer trägt zu diesem Erfolg mit seiner p² Pack-Lösung bei, die das Einbetten von Leistungshalbleitern in Leiterplatten ermöglicht.

Die 1200 V CoolSiC Chip Embedding-Technik wird auf der PCIM Europe 2023 auf dem Infineon-Stand vorgestellt. (jr)

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Schweizer Electronic AG