ROHM hat Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) mit einer Durchbruchspannung von 100 V entwickelt. Die neuen Dioden bieten eine Rückwärtserholungszeit (reverse recovery time, trr) von 15 ns und eignen sich damit besonders für Anwendungen, die ein schnelles Schalten erfordern.
Als Erweiterung der vier bestehenden konventionellen SBD-Baureihen ist die YQ-Serie die erste von ROHM, die eine Trench-MOS-Struktur verwendet. SBDs mit einer Trench-MOS-Struktur, die eine niedrigere Durchlassspannung (VF) als planare Typen aufweisen, ermöglichen eine höhere Effizienz bei Gleichrichtungsanwendungen. Ein Nachteil von Trench-MOS-Strukturen ist jedoch, dass sie in der Regel eine schlechtere trr haben als planare Topologien, was zu einer höheren Verlustleistung beim Schalten führt.
Als Antwort darauf hat ROHM die neue YQ-Serie entwickelt, die eine proprietäre Trench-MOS-Struktur verwendet, welche gleichzeitig VF und Rückstrom IR (die im umgekehrten Verhältnis zueinanderstehen) reduziert und dabei laut Analysen des Unternehmens mit 15 ns eine branchenführende Rückwärtserholungszeit erreicht.
Dadurch werden die trr-Verluste um ca. 37 % und die Gesamtschaltverluste um ca. 26 % im Vergleich zu herkömmlichen Trench-MOS-Produkten reduziert.
