Onsemi hat eine vertikale Galliumnitrid-Leistungshalbleitertechnik (vGaN) vorgestellt, die Verbesserungen im Hinblick auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit bringt.
Die meisten im Handel erhältlichen GaN-Bauelemente basieren auf einem Substrat, das nicht aus GaN besteht, sondern meist aus Silizium oder Saphir. Bei der GaN-on-GaN-Technik fließt der Strom vertikal durch den Chip und nicht an dessen Oberfläche. Dieses Design ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, eine größere thermische Stabilität und eine robuste Funktion auch unter extremen Bedingungen. Mit diesen Vorteilen übertrifft vGaN sowohl GaN-auf-Silizium- als auch GaN-auf-Saphir-Bauelemente. vGaN bietet eine höhere Spannungsfestigkeit, eine höhere Schaltfrequenz sowie eine höhere Zuverlässigkeit und Robustheit. Dadurch werden die Entwicklung kleinerer, leichterer und effizienterer Stromversorgungssysteme mit geringeren Kühlungsanforderungen und niedrigeren Gesamtsystemkosten ermöglicht.
Das Unternehmen beliefert Early-Access-Kunden bereits mit ersten Mustern von 700-V- und 1.200-V-Komponenten, die in der US-amerikanischen Halbleiterfabrik in Syracuse entwickelt und gefertigt wurden. Im Zusammenhang mit der vGaN-Technologie hält onsemi über 130 weltweite Patente, die eine Reihe grundlegender Prozess-, Geräte-, Fertigungs- und Systeminnovationen abdecken. (jr)
