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Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter
Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.
semiconductor material
Technologie-Radar
TU Graz: Neues Labor erforscht Halbleitermaterialien auf Basis von Hydosilanen
Mit energie- und ressourcensparenden Methoden sollen hochwertige dotierte Siliziumschichten für die Elektronik- und Solarbranche ermöglicht werden.
Technologie-Radar
Neues Halbleitermaterial Aluminiumyttriumnitrid für energieeffizientere Elektronik
Aufgrund seiner Materialeigenschaften und seiner Anpassungsfähigkeit an GaN kann AlYN zu deutlich energieeffizienteren Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik führen.