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FIRST by FMD: Europa will Mikroelektronik schneller in die Serie bringen

12. Oktober 2026

Mehr als 500 Teilnehmende aus über 200 Unternehmen, unter anderem von ASML, Bosch, Intel, Infineon, GlobalFoundries und TRUMPF, trafen sich am 30. September und 1. Oktober 2026 in Berlin zur ersten FIRST by FMD.

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Forschenden gelingt Aufwachsen einkristalliner polarer Wurtzit-NbAlN-Dünnschichten auf GaN-Substraten

8. September 2026

Verdreifachte Elektronendichte an der Grenzfläche in einer GaN-Heterostruktur eröffnet neue Möglichkeiten für die polarisationsbasierte Materialentwicklung.

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Methode zur Aufbringung von Germaniumschichten auf Siliziumsubstraten ermöglicht neuartige Halbleiterbausteine

4. September 2026

Forscher nutzt Molekularstrahlepitaxie und niedrige Substrattemperaturen zur Erzeugung von 4 nm dicken Germaniumschichten auf Siliziumsubstrat ohne störende Quantenpunkte.

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Halbleiterindustrie setzt auf ungeeignete 2D-Materialien

22. April 2026

Viele 2D-Materialien sind wegen zu schwacher Verbindung zwischen Isolierschicht und 2D-Material für den Aufbau fortschrittlicher Transistoren ungeeignet. TU Wien findet Lösung

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Onsemi: Vertikale GaN-Halbleiter

31. Oktober 2025

Die vertikale GaN-Architektur von onsemi basiert auf der neuartigen GaN-on-GaN-Technologie und bringt Fortschritte in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Robustheit.

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TU Graz: Neues Labor erforscht Halbleitermaterialien auf Basis von Hydosilanen

22. November 2024

Mit energie- und ressourcensparenden Methoden sollen hochwertige dotierte Siliziumschichten für die Elektronik- und Solarbranche ermöglicht werden.

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Neues Halbleitermaterial Aluminiumyttriumnitrid für energieeffizientere Elektronik

15. August 2024

Aufgrund seiner Materialeigenschaften und seiner Anpassungsfähigkeit an GaN kann AlYN zu deutlich energieeffizienteren Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik führen.

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

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