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Rohm: TVS-Dioden unterstützen CAN-FD
Ein kapazitätsarmes Design minimiert Signalverluste, während der hohe Stoßstromwert den Schutz empfindlicher Fahrzeugkomponenten optimiert.
Rohm
Branchen-News
Rohm: Strategische Zusammenarbeit mit TSMC im Bereich Galliumnitrid-Halbleiter
Im Rahmen der Partnerschaft sollen GaN-Leistungshalbleiter für E-Fahrzeuge entwickelt und produziert werden.
Branchen-News
Valeo & Rohm: Kooperation für die Weiterentwicklung von Wechselrichter-Leistungsmodulen
Unternehmen arbeiten an der Optimierung und Entwicklung der nächsten Generation von SiC-Leistungsmodulen für Traktionsumrichter.
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Rohm: 1.200V-IGBTs mit geringer Verlustleistung und hoher Kurzschlusstoleranz
Vier neue Modelle in zwei Gehäuse- und elf Bare-Chip-Varianten markieren Start der neuen IGBT-Serie der vierten Generation.
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Rohm: Neue n-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und eignen sich u. a. für Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer.
Branchen-News
SiCrystal: Neubau für mehr SiC-Wafer-Produktionsfläche
Neubau mit 6.000 Quadratmeter Produktionsfläche soll bis Anfang 2026 fertiggestellt sein.
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Rohm: Neuartige Infrarot-Lichtquelle für Fahrzeuginnenraumüberwachung
VCSELED kombiniert die Eigenschaften von VCSELs und LEDs – großen Abstrahlwinkel und gleichmäßige Lichtabstrahlung.
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Rohm: Vier 2-in-1-SiC-Module für xEV-Wechselrichter
Die Module mit einer Spannungsfestigkeit von 750 V (BSTxxxD08P4A1x4) bzw. 1.200 V (BSTxxxD12P4A1x1) gehören zur SiC-Modulserie TRCDRIVE pack von Rohm. Die Gehäusetechnik wurde speziell für Traktionswechselrichter-Anwendungen bis zu 300 kW entwickelt.
Die Module haben eine Spannungsfestigkeit von 750 V bzw. 1.200 V.
Die Module haben eine Spannungsfestigkeit von 750 V bzw. 1.200 V.
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Rohm: 5W-Shunt-Widerstände
Drei neue Modelle mit Nennleistungen von 5 W und niedrigen Widerständen von 0,5, 1,0 und 1,5 Milliohm ergänzen die PMR100-Serie.
Medienspiegel
Fachbeitrag: GaN-HEMT-Schaltungstopologien für hochauflösende LiDAR
Rohm stellt hier den Aufbau und das Prinzip der einfacheren Zweiflanken-Rechteckschaltung zur Ansteuerung von GaN-HEMT der komplexeren Einflanken-Resonanz-Schaltung gegenüber.