Technologie-Radar
Bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden
Fraunhofer IAF hat im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL einen 1.200-V-Halbleiterschalter auf Basis seines neue GaN-on-Insulator-Prozesses gefertigt.
HEMT
Produkt-News
IKZ: BMBF fördert Projekt All-GO-HEMT zur Entwicklung hocheffizienter β-Galliumoxid-Heterostrukturen
Das mit knapp 2 Mio. geförderte Projekt soll die Grundlagen für die Nutzung des UWBB-Materials Ga2O3 in der Leistungselektronik schaffen.
Fachberichte & White Paper
Fachbeitrag: GaN-HEMT-Schaltungstopologien für hochauflösende LiDAR
Rohm stellt hier den Aufbau und das Prinzip der einfacheren Zweiflanken-Rechteckschaltung zur Ansteuerung von GaN-HEMT der komplexeren Einflanken-Resonanz-Schaltung gegenüber.
Fachberichte & White Paper
Fachbeitrag: GaN ICs Wanted for Power, EV Markets
Der Fachbeitrag behandelt die Grundlagen und Vorteile von ICss auf GaN-Basis sowie die Hürden, die bis zur Kommerzialisierung zu bewältigen sind.