Der Fachbeitrag von Semiconductor Engineering behandelt die Grundlagen und Vorteile von integrierten Schaltungen auf GaN-Basis sowie die Hürden, die es auf dem langen Weg zu deren Kommerzialisierung zu bewältigen gilt. Darüber hinaus liefert die Autorin eine Zusammenfassung des aktuellen Forschungsstands. Sie kommt am Ende zu dem Resümee, dass der Übergang von einzelnen GaN-Bauelementen zu integrierten GaN-Schaltkreisen sowie von Labormustern zu kommerziellen Anwendungen unweigerlich Fragen nach der Zuverlässigkeit und dem Betriebsbereich in den Vordergrund rücken werde. Wegen des großen Potenzials dieser integrierten Schaltkreise in Elektrofahrzeug- und Stromversorgungsanwendungen könne aber mit einer Lösung der dabei auftauchenden Probleme gerechnet werden.
News
VisIC: GaN-basierter 3-Phasen-Traktionsumrichter besteht Motorprüfstandtest
Das israelische Fabless-IC-Design-Unternehmen hat sein 2,2mΩ-650V-Halbbrücken-Leistungsmodul erfolgreich in einer 3-Phasen-Konfiguration auf einem Prüfstand mit einem Permanentmagnet-Synchronmotor-Motor bei einem großen Automobilhersteller getestet.
Technologie-Radar
Bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden
Fraunhofer IAF hat im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL einen 1.200-V-Halbleiterschalter auf Basis seines neue GaN-on-Insulator-Prozesses gefertigt.
Fachberichte & White Paper
White Paper: Entwurfs- und Verifikationsansatz für das Design von Leistungsmodulen
Der Siemens-Beitrag stellt wichtige Aspekte des Moduldesigns vor und wie Siemens-Tools dabei helfen können, mit weniger Prototypen auszukommen.