Der Fachbeitrag von Semiconductor Engineering behandelt die Grundlagen und Vorteile von integrierten Schaltungen auf GaN-Basis sowie die Hürden, die es auf dem langen Weg zu deren Kommerzialisierung zu bewältigen gilt. Darüber hinaus liefert die Autorin eine Zusammenfassung des aktuellen Forschungsstands. Sie kommt am Ende zu dem Resümee, dass der Übergang von einzelnen GaN-Bauelementen zu integrierten GaN-Schaltkreisen sowie von Labormustern zu kommerziellen Anwendungen unweigerlich Fragen nach der Zuverlässigkeit und dem Betriebsbereich in den Vordergrund rücken werde. Wegen des großen Potenzials dieser integrierten Schaltkreise in Elektrofahrzeug- und Stromversorgungsanwendungen könne aber mit einer Lösung der dabei auftauchenden Probleme gerechnet werden.
Produkt-News
IKZ: BMBF fördert Projekt All-GO-HEMT zur Entwicklung hocheffizienter β-Galliumoxid-Heterostrukturen
Das mit knapp 2 Mio. geförderte Projekt soll die Grundlagen für die Nutzung des UWBB-Materials Ga2O3 in der Leistungselektronik schaffen.
News
ADI: Treiber für GaN-FETs
100-V-GaN-Halbbrückentreiber mit integriertem intelligenten Bootstrap-Schalter
Technologie-Radar
GaN-Halbleiter für Betriebsumgebungen jenseits von 300 °C
Forschende haben festgestellt, dass Galliumnitridtransistoren in Hochtemperaturanwendungen mit Temperaturen von 500 °C standhalten können.