Der Betrag von Rohm stellt den Aufbau und das Prinzip der einfacheren Zweiflanken-Rechteckschaltung zur Ansteuerung von GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistors) der komplexeren Einflanken-Resonanz-Schaltung gegenüber. Letztere bietet in der Regel eine bessere Leistung, erfordert aber mehrere Iterationen. (jr)
Link zum Fachbeitrag erschienen bei Elektronik Industrie
Der neuen Iris+-Sensors ermöglicht es mit seiner Reichweite von 300 Metern, auch bei hohen Autobahn-Geschwindigkeiten kleine Objekte sicher zu erkennen, sodass Kollisionen rechtzeitig vermieden werden können. […]
Der PSR350 mit einer Nennleistung von 12 W ist nach Unternehmensangaben mit einer Bauhöhe von 0,85 mm der industrieweit flachste Metallplatten-Shunt-Widerstand. Zudem wird Rohm die PSR-Produktfamilie um ein 0,2-mΩ-Modell (PSR100) sowie einen 15-W-Typ (PSR330) erweitern. […]
Der Fachbeitrag von Semiconductor Engineering behandelt die Grundlagen und Vorteile von integrierten Schaltungen auf GaN-Basis sowie die Hürden, die es auf dem langen Weg zu deren Kommerzialisierung zu bewältigen gilt. Darüber hinaus liefert die Autorin […]
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