Die vier AEC-Q101-konformen N-Kanal-MOSFETs XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW und XSM6K336NW sowie der P-Kanal MOSFET XSM6J372NW von Toshiba Electronics sind in einem DFN2020B(WF)-Gehäuse (SOT-1220) mit benetzbaren Flanken untergebracht. Das Gehäuse erhöht dabei nicht nur die Lötbarkeit, sondern gewährleistet auch eine bessere Sichtbarkeit der Lötstelle.
Beim Scherkraftprüfungen der Lötverbindungen weist das neue Gehäuse zudem eine um ca. 23 % höhere Festigkeit auf als das derzeit verfügbare SOT-23F-Gehäuse von Toshiba.
Mit einer typischen Gehäusegröße von 2,0 x 2,0 x 0,6 mm reduziert das DFN2020B(WF)-Gehäuse die Montagefläche um ca. 43 % und die Höhe um ca. 25 % gegenüber dem SOT-23F-Gehäuse (typisch 2,4 x 2,9 x 0,8 mm).
Trotz seiner kompakten Größe zeichnet sich das neue Gehäuse durch eine hohe Wärmeabfuhr aus. So beträgt die maximale Verlustleistung des XSM6K361NW beispielsweise 1,84 W, was etwa 1,5-mal mehr ist als die 1,2 W des momentan erhältlichen Toshiba-Produkts SSM3K361R mit SOT-23F-Gehäuse. Diese Eigenschaft begünstigt die Entwicklung kompakter Automobilkomponenten, für die leistungsstarke MOSFETs erforderlich sind, darunter DC/DC-Wandler für elektronische Steuergeräte (ECUs) und Lastschalter für LED-Scheinwerfer. (jr)
