Nexperia investiert 184 Mio. Euro am Standort Hamburg, um die nächste Generation von Wide-Bandgap-Halbleitern (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) zu entwickeln und eine Produktionsinfrastruktur aufzubauen. In diesem Zuge werden auch die Fertigungskapazitäten im Bereich Silizium (Si)-Dioden und -Transistoren erhöht.
Im Juni 2024 sind bereits die ersten Linien für Hochspannungs-GaN-D-Mode Transistoren sowie für SiC Dioden gestartet. Der nächste Meilenstein ist der Aufbau von 200 mm-Produktionslinien für SiC MOSFETs und GaN HEMTs innerhalb der kommenden zwei Jahre. Gleichzeitig wird die Investition dazu beitragen, die bestehende Infrastruktur am Hamburger Standort weiter zu automatisieren und durch konsequente Umstellung auf 200 mm Wafer die Silizium-Produktionskapazität zu erhöhen. Der Erweiterung der Reinraumflächen folgt die Errichtung neuer F&E-Labore. Derzeit beschäftigt Nexperia in Hamburg 1.600 Mitarbeiter. (jr)
