IQE und X-FAB wollen gemeinsam eine GaN-Power-Foundry-Lösung für Kunden ohne eigene Halbleiterfertigung in Europa etablieren.
Im Rahmen der zunächst auf zwei Jahre angelegten Vereinbarung werden IQE und X-FAB gemeinsam ein 650-V-GaN-Bauelement entwickeln. Dazu kombinieren die Unternehmen das GaN-Epitaxie-Design und Prozess-Know-how von IQE mit der Technologieentwicklung und Halbleiterfertigung von X-FAB.
Durch diese Zusammenarbeit wird Halbleiterherstellern ohne eigene Fertigung eine hochmoderne, standardisierte GaN-Plattform zur Verfügung gestellt, die auch als Basis für zukünftige Produktentwicklungen jenseits von 650 V dienen wird. (jr)
