Die EDT3- und RC-IGBT-Bare-Dies von Infineon liefern zuverlässig hohe Leistung und ermöglichen Anwendern die Entwicklung kundenspezifischer Leistungsmodule.
Die neue EDT3-Generation, die für 400-V- und 800-V-Systeme ausgelegt ist, stellt einen deutlichen Fortschritt gegenüber dem EDT2 dar: Die Bauelemente weisen bis zu 20 % geringere Gesamtverluste bei hoher Last auf, ohne dass die Effizienz bei niedriger Last beeinträchtigt wird.
Die EDT3-Chipsätze sind in den Spannungsklassen 750 V und 1.200 V erhältlich und liefern höhere Ausgangsströme. Durch die reduzierte Chipgröße und das optimierte Design ermöglichen sie die Herstellung kompakterer Module, was wiederum zu niedrigeren Gesamtsystemkosten führt. Mit einer maximalen virtuellen Sperrschichttemperatur von 185 °C und einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 750 V bzw. 1.200 V sind die Bauelemente auch für Hochleistungsanwendungen geeignet.
Der 1.200-V-RC-IGBT bietet durch die Integration von IGBT- und Diodenfunktionen auf einem Chip mehr Leistung. Dadurch wird eine deutlich höhere Stromdichte erreicht als bei Lösungen mit getrennten IGBT- und Dioden-Chipsätzen.
Alle Chip-Bauelemente werden mit kundenspezifischen Chip-Layouts einschließlich On-Chip-Temperatur- und Stromsensoren angeboten. Zusätzlich sind Metallisierungsoptionen für Sintern, Löten und Bonden auf Anfrage erhältlich. Die neuen EDT3- und RC-IGBT-Bauelemente sind bereits zur Bemusterung verfügbar. (jr)
