Die TVS-Dioden der Serie D3V3Z1BD2CSP von Diodes (Vertrieb Rutronik) eignen sich mit ihrer niedrigen Kapazität (0,3 pF) und Klemmenspannung (5 V bzw. 5,3 V) speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differenzialleitungen. Sie können aufgrund ihrer hohen Impulsspitzenstromfähigkeit (10,5 A, tP = 8 / 20 µs) auch für den Schutz vor elektrischer Überbelastung (EOS) verwendet werden. Das DSN-Gehäuse mit 0,60 mm x 0,30 mm x 0,30 mm ermöglicht in Applikationen auch den flexiblen Schutz für eine einzelne Leitung. Zu möglichen Einsatzgebieten gehören Automobilanwendungen, die eine spezifische Änderungskontrolle erfordern; d. h. Teile, die nach AEC-Q100/101/104/200 qualifiziert und PPAP-fähig sind sowie in IATF 16949-zertifizierten Einrichtungen hergestellt werden.
News
Rutronik: Kleine Gleichrichter liefern 4 A
Die Gleichrichter liefern im Vergleich zu Bauteilen im SMP-Gehäuse (DO-220AA) mit derselben Grundfläche ein um 12 % niedrigeres Profil. […]
News
Diodes: Hochspannungs-Hall-Effekt-Schalter
Die Magnetschalter können in einem breiten Spektrum von berührungslosen Positions- und Näherungserkennungsanwendungen eingesetzt werden. […]
News
Diodes: Linearer 3-Kanal-LED-Treiber
Helligkeit und Farbe können beim AL1783Q über die drei Kanäle unabhängig voneinander gesteuert werden. […]