Die SiC-MOSFETs der fünften Generation von ROHM zeichnen sich laut Unternehmensangaben durch die branchenweit niedrigsten Verluste aus und tragen so zur schnelleren Verbreitung der SiC-Technologie bei. Durch strukturelle Verbesserungen und die Optimierung des Herstellungsprozesses konnte der Durchlasswiderstand im Hochtemperaturbetrieb (T_j = 175 °C) im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der vierten Generation (unter gleichen Bedingungen hinsichtlich Durchbruchspannung und Chipgröße) um ca. 30 % reduziert werden. Diese Verbesserung trägt dazu bei, die Baugröße zu verringern und gleichzeitig die Ausgangsleistung in Hochtemperaturanwendungen, wie beispielsweise Antriebswechselrichtern für xEVs, zu erhöhen.
Im Jahr 2025 begann ROHM mit der Entwicklung von Bare-Die-Bauelementen für SiC-MOSFETs der fünften Generation, die im März 2026 abgeschlossen wurde. Ab Juli 2026 wird ROHM zudem Muster von diskreten Bauelementen und Modulen der EcoSiC-Serie bereitstellen, in denen SiC-MOSFETs der fünften Generation zum Einsatz kommen.
Für die Zukunft plant ROHM, sein Angebot an SiC-MOSFETs der fünften Generation um weitere Durchbruchspannungsoptionen und Gehäuseversionen zu erweitern. Darüber hinaus wird das Unternehmen seine Design-Tools kontinuierlich verbessern und den Anwendungssupport ausbauen. (jr)
