Infineon hat im österreichischen Werk in Villach 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafer erfolgreich zu funktionsfähigen Leistungsbauelementen prozessiert. Der Halbleiterhersteller ist eigenen Angaben zufolge das erste Unternehmen, das diesen Innovationsmeilenstein unter realen Bedingungen in einer Halbleiterfertigung erreicht hat. Dies wurde durch die Nutzung vorhandener Fertigungsanlagen für Silizium (Si) ermöglicht.
Dieser Innovationssprung verdeutlicht, dass eine künftige Industrialisierung von SiC auf 300-Millimeter-Wafern im großen Maßstab möglich ist. Infineon wird die 300-Millimeter-SiC-Technologie und den Zeitpunkt des Produktionshochlaufs gemeinsam mit Kunden und Partnern eng abstimmen und zugleich seine Roadmap für die 200-Millimeter-SiC-Fertigung weiter umsetzen.
Parallel dazu hat Infineon an seinem Standort in Dresden die Machbarkeit seiner Cold-Split-Technologie für 300-Millimeter-SiC erfolgreich nachgewiesen. Cold Split trennt Wafer von einem SiC-Kristall (Boule) mit geringerem Materialverlust und deutlich kürzerer Bearbeitungszeit ab als das herkömmliche Drahtsägen. So lassen sich aus demselben Kristall mehr Wafer bei geringeren Investitionsausgaben gewinnen.
Infineon fertigt Halbleiter auf Basis aller drei relevanten Materialien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid (GaN). Am 27. Oktober 2026 hat das Unternehmen eine Investition von rund 1,1 Milliarden Euro in die Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern in Villach angekündigt. Mit dem SiC-Erfolg überträgt Infineon diesen Ansatz nun auf ein zweites Wide-Bandgap-Material.
Auf der electronica in München präsentiert Infineon den weltweit ersten prozessierten 300-Millimeter-SiC-Wafer. (jr)
