Die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid-(GaN)-Leistungshalbleiter der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern entsteht in Villach, Österreich, und wird von Infineon errichtet. Im Rahmen des Projekts investiert das Unternehmen bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro in die bestehenden Reinraumflächen am Standort Villach und positioniert diesen als globales Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter. Die gleichzeitige Nutzung der vorhandenen und modernisierten Infrastruktur ermöglicht einen besonders effizienten und kosteneffektiven Ausbau der Fertigungskapazitäten.
Mit dieser Investition reagiert Infineon auf die stark wachsende Nachfrage nach leistungsfähigen und wettbewerbsfähigen Stromversorgungslösungen. Galliumnitrid ermöglicht einerseits erhebliche Effizienzsteigerungen in zahlreichen Anwendungen, darunter KI-Rechenzentren, die Energieinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Konsumentenelektronik. Andererseits senkt der Übergang auf 300-mm-Wafer die Komponentenkosten, da sich auf ihnen etwa 2,3-mal so viele Halbleiter unterbringen lassen wie auf 200-mm-Wafern.
Die Produktion soll Ende 2027 starten und entsprechend der Nachfrage hochgefahren werden. Somit würden zwischen der Bekanntmachung der erfolgreichen ersten Fertigung eines 300-mm-GaN-Wafers durch Infineon und der Serienfertigung nur drei Jahre liegen.
Die Investition wird im Rahmen des European Chips Acts gefördert. Die Europäische Kommission genehmigte staatliche Fördermittel in Höhe von 319 Millionen Euro. Die formelle Förderzusage durch das zuständige österreichische Bundesministerium für Wirtschaft, Energie und Tourismus wird innerhalb der gesetzten Fristen erwartet. Aus Brüssel soll schon am 26.10.26 grünes Licht für die Förderung geben worden sein. (jr)
