Würth Elektronik: Transformatorserie für SiC-MOSFET-Gate-Treiber

Transformatorserie WE-AGDT für SiC-MOSFET-Gate-Treiber mit minimaler Kapazität zwischen den Wicklungen. (Bild: Würth Elektronik)

Würth Elektronik stellt Ergänzungen seiner WE-AGDT-Serie vor, mit einer Wicklungskapazität von weniger als 1 pF, mehr Topologien und höheren Ausgangsspannungsoptionen. Die Transformatoren  stellen bis zu 6 W für isolierte Hilfsversorgungen bereit und wurde speziell für SiC-MOSFET- und IGBT-Gate-Treibersysteme entwickelt. Aufgrund der hohen du/dt, welche bei Designs mit Wide-Bandgap-Bauteilen entsteht, ist die Zwischenwicklungskapazität von hoher Bedeutung. Die neuen Produkte der Serie weisen eine Zwischenwicklungskapazität von nur 0,68 pF und Ausgangsspannungen von bis zu 30 V auf. Zu den Optionen gehören jetzt LLC-, Halbbrücken- oder Flyback-Topologien sowie zudem die Option von ein oder zwei Ausgängen, welche entweder in unipolaren oder bipolaren Anwendungen eingesetzt werden können. (oe)

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Einzelheiten zur LLC-Topologie