Technologie-Radar
Bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden
Fraunhofer IAF hat im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL einen 1.200-V-Halbleiterschalter auf Basis seines neue GaN-on-Insulator-Prozesses gefertigt. […]
Schalter
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Infineon: Magnetschalter für ASIL-B-Anwendungen
Die Hall-Effekt-Schalter XENSIV TLE4960x sind AEC-Q100-konform, nach Grade 0 qualifiziert und messen des Magnetfeldes orthogonal zur Leiterplatte. […]
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Infineon: 24/48-V-Leistungsschalterfamilie für die Stromverteilung
Die Leistungsschalter Power PROFET + 24/48V können herkömmliche Relais und Sicherungen sowohl in primären als auch sekundären Stromverteilungssysteme im Fahrzeug ersetzen. […]
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Diodes: Hochspannungs-Hall-Effekt-Schalter
Die Magnetschalter können in einem breiten Spektrum von berührungslosen Positions- und Näherungserkennungsanwendungen eingesetzt werden. […]