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Toshiba: Zwei neue -60V-p-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC sind für einen Drainstrom von -90 A bzw. -60 A ausgelegt.
Leistungselektronik
Branchen-News
Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm
Mit der Übernahme erweitert Renesas sein Portfolio um Galliumnitrid-Leistungshalbleiter.
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Rutronik: MOSFETs von PANJIT mit niedriger Durchlassspannung
Geringerer Widerstand, weniger Platzbedarf, größere Avalanche-Festigkeit: PANJITs neue 30 V und 40 V LV-Automotive-MOSFETs.
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Toshiba: MOSFETs im neuen Gehäuse
Neue Bausteine bieten gegenüber Vorgängern einen niedrigeren Durchlasswiderstand und kleinere Abmessungen.
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Infineon: MOSFETs für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte
Infineon präsentiert 60-V- und 120-V-OptiMOS 5 MOSFETs in TOLx-Gehäusen für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte.
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Vitesco: Robustes Umspritz-Leistungsmodul
Die Umspritz-Leistungsmodule kombinieren SiC-Chiptechnologie mit Umspritzung und ermöglichen so ein robustes Produkt mit erhöhter Leistungsdichte und reduziertem Gewicht.
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Yokogawa: Oszilloskop für die Messung von Leistungselektronik
Mit einer neuen Wandler Technologie und einem geringerem Grundrauschen überzeugt das Oszilloskop von Yokogawa bei der Signalanalyse.
Branchen-News
FEV und dSPACE kooperieren bei Power HIL-Prüfständen
FEV und dSPACE haben eine Technologiekooperation unterzeichnet, um Kunden maßgeschneiderte Power-HIL-Prüfstände anzubieten.
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Infineon: High-Side-Schalter im TO-Gehäuse für 12V-Netze
Die Serie umfasst zwei Varianten mit einem Einschaltwiderstand von 0,6 bzw. 1mΩ
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ZF: Neue Antriebstechnik steigert Reichweite um ein Drittel
ZF stellt das elektrische Konzeptfahrzeug EVbeat vor, das auf höchste Kompaktheit, geringes Gewicht und maximale Effizienz im Realbetrieb ausgelegt ist.