Branchen-News
Infineon und ROHM kooperieren bei Gehäusen für SiC-Leistungshalbleiter
Infineon und ROHM planen wechselseitig als zweite Bezugsquelle für Anwendern von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern zu agieren.
Rohm
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Rohm: Neue SPICE-Level-3-Modelle für SiC-MOSFETs
Neue Level-3-SPICE-Modelle ermöglichen rund 50% kürzere Simulationszeit und präzisere Transientenanalysen.
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Rohm: Präzise Strommessverstärker für Hoch- und Niederspannungsanwendungen
Die Strommessverstärker unterstützen Eingangsspannungen bis +80 V, verfügen über eine Chopper-basierte Verstärkerarchitektur und ermöglichen eine einfache Stromerfassung über einen externen Shunt-Widerstand.
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Rohm: 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse
Die 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse hat Rohm für den Einsatz in PFC- und LLC-Wandlern in Onboard-Ladegeräten (OBC) optimiert.
Branchen-News
Mazda und Rohm entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten auf GaN-Basis
Mazda und ROHM entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten für eine Markteinführung 2027 unter Verwendung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern
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Rohm: 650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse
Dieses kompakte Gehäuse bietet eine sehr gute Wärmeableitung, hohe Stromkapazität und eine optimierte Schaltleistung.
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Rohm: TVS-Dioden unterstützen CAN-FD
Ein kapazitätsarmes Design minimiert Signalverluste, während der hohe Stoßstromwert den Schutz empfindlicher Fahrzeugkomponenten optimiert.
Branchen-News
Rohm: Strategische Zusammenarbeit mit TSMC im Bereich Galliumnitrid-Halbleiter
Im Rahmen der Partnerschaft sollen GaN-Leistungshalbleiter für E-Fahrzeuge entwickelt und produziert werden.
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Valeo & Rohm: Kooperation für die Weiterentwicklung von Wechselrichter-Leistungsmodulen
Unternehmen arbeiten an der Optimierung und Entwicklung der nächsten Generation von SiC-Leistungsmodulen für Traktionsumrichter.
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Rohm: 1.200V-IGBTs mit geringer Verlustleistung und hoher Kurzschlusstoleranz
Vier neue Modelle in zwei Gehäuse- und elf Bare-Chip-Varianten markieren Start der neuen IGBT-Serie der vierten Generation.