Rohm Archive - Seite 2 von 4

Rohm: Präzise Strommessverstärker für Hoch- und Niederspannungsanwendungen

12. Juni 2025

Die Strommessverstärker unterstützen Eingangsspannungen bis +80 V, verfügen über eine Chopper-basierte Verstärkerarchitektur und ermöglichen eine einfache Stromerfassung über einen externen Shunt-Widerstand.

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Rohm: 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse

25. April 2025

Die 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse hat Rohm für den Einsatz in PFC- und LLC-Wandlern in Onboard-Ladegeräten (OBC) optimiert.

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Mazda und Rohm entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten auf GaN-Basis

30. März 2025

Mazda und ROHM entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten für eine Markteinführung 2027 unter Verwendung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern

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Rohm: 650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse

3. März 2025

Dieses kompakte Gehäuse bietet eine sehr gute Wärmeableitung, hohe Stromkapazität und eine optimierte Schaltleistung.

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Rohm: TVS-Dioden unterstützen CAN-FD

20. Februar 2025

Ein kapazitätsarmes Design minimiert Signalverluste, während der hohe Stoßstromwert den Schutz empfindlicher Fahrzeugkomponenten optimiert.

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Rohm: Strategische Zusammenarbeit mit TSMC im Bereich Galliumnitrid-Halbleiter

11. Dezember 2024

Im Rahmen der Partnerschaft sollen GaN-Leistungshalbleiter für E-Fahrzeuge entwickelt und produziert werden.

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Valeo & Rohm: Kooperation für die Weiterentwicklung von Wechselrichter-Leistungsmodulen

26. November 2024

Unternehmen arbeiten an der Optimierung und Entwicklung der nächsten Generation von SiC-Leistungsmodulen für Traktionsumrichter.

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Rohm: 1.200V-IGBTs mit geringer Verlustleistung und hoher Kurzschlusstoleranz

7. November 2024

Vier neue Modelle in zwei Gehäuse- und elf Bare-Chip-Varianten markieren Start der neuen IGBT-Serie der vierten Generation.

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Rohm: Neue n-Kanal-MOSFETs

20. September 2024

Die MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und eignen sich u. a. für Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer.

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SiCrystal: Neubau für mehr SiC-Wafer-Produktionsfläche

10. Juli 2024

Neubau mit 6.000 Quadratmeter Produktionsfläche soll bis Anfang 2026 fertiggestellt sein.

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

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