Rohm hat zehn neue N-Kanal-MOSFET-Modelle entwickelt, die sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand auszeichnen und sich beispielsweise für Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer eignen. Die neuen MOSFETs werden mit Spannungen von 40 V, 60 V und 100 V angeboten. Anwender können je nach Applikation zwischen drei Gehäusetypen wählen.
Rohm plant ferner, sein Angebot an solchen Mittelspannungs-N-Kanal-MOSFETs zu vergrößern. Ziel ist eine weitere Miniaturisierung und Effizienzsteigerung in Kfz-Anwendungen. Die Massenproduktion der Gehäuse DFN3333 (3,3 mm × 3,3 mm) und HPLF5060 (5,0 mm × 6,0 mm) ist für Oktober 2024 vorgesehen, gefolgt von 80-V-Produkten im Jahr 2025. Für die Zukunft sind auch P-Kanal-Produkte in Planung. (oe)
