Toshiba Electronics Europe stellt einen neuen SiC-MOSFET mit einer Nennspannung von 2200 V und integrierter Schottky-Barrier-Diode für 1500 VDC-Anwendungen vor, der das Design von zweistufigen Wechselrichtern vereinfacht und die Leistungsdichte erhöht.
Beim MG250YD2YMS3 wurden die Störstellenkonzentration und die Dicke der Driftschicht optimiert. So wird das gleiche Verhältnis zwischen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) und Durchbruchspannung wie bei bestehenden Lösungen beibehalten.
Die Schaltverluste sind weitaus geringer als die entsprechender Si-basierter Module. Vergleicht man einen zweistufigen SiC-Wechselrichter mit einem dreistufigen Si-Wechselrichter, erzielt das neue SiC-Modul die doppelte Frequenz eines herkömmlichen Si-IGBTs sowie 37% geringere Verluste. (oe)
