Wie der Titel „Einblicke in die Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitertechnologie von Bosch“ deutlich macht, geht es in dem insgesamt 21 Seiten umfassenden Text um die SiC-Technologie des Tier 1.
Die ersten Kapitel geben einen Überblick über die Positionierung von Bosch als „Integrated Device Manufacturer“ (IDM) von Silizium-MOS-FETs und SiC-Leistungshalbleitern. Dabei wird auch auf die Positionierung in China eingegangen. Ein eigenes Kapitel widmet sich dem globalen Fertigungs- und Partnernetzwerk des Unternehmens.
Den Hauptteil des Textes bilden detaillierte Informationen zur SiC-Roadmap und zur Zweikanal-Trench-SiC-Technologie sowie zu den von Bosch verwendeten SiC-Substraten. Ein eigener kleiner Abschnitt ist der Umstellung von 150 mm Wafern auf 200 mm Wafer gewidmet (Stand Mai 2025: Musterfertigung entsprechender SiC-Trench-MOSFETs ist angelaufen).
Der Beitrag schließt mit Informationen zum SiC-Portfolio von Bosch (SiC-Bare-Dies, diskrete SiC-Bauelemente, SiC-Module) sowie zu einigen öffentlich geförderten SiC-Technologieprojekten.
Während der Text für technische Anfänger geeignet ist, erfordern viele der Abbildungen ein tieferes technisches Verständnis. (jr)
