STMicroelectronics kündigt den Bau einer neuen 200-mm-Siliziumkarbid-Fertigungsanlage für Leistungsbauelemente und -module sowie für Test- und Verpackungszwecke in Catania an. Zusammen mit der SiC-Substrat-Fertigungsanlage, die am gleichen Standort vorbereitet wird, bilden diese Anlagen den Siliziumkarbid-Campus von ST und verwirklichen die Vision des Unternehmens von einer vollständig vertikal integrierten Fertigungsanlage für die Massenproduktion von SiC an einem Standort.
Der Siliziumkarbid-Campus wird als Zentrum des globalen SiC-Ökosystems von ST dienen und alle Schritte des Produktionsflusses integrieren. Damit wird erstmals in Europa eine Massenproduktion von 200-mm-SiC-Wafern möglich, bei der in jedem Prozessschritt – Substrat, Epitaxie, Front-End und Back-End – 200-mm-Technologien eingesetzt werden, um die Ausbeute und Leistung zu steigern.
Die neue Anlage soll 2026 in Betrieb genommen werden und bis 2033 ihre volle Kapazität erreichen, wobei bei voller Auslastung bis zu 15 000 Wafer pro Woche hergestellt werden können. Die Gesamtinvestition wird sich voraussichtlich auf rund fünf Milliarden Euro belaufen, wobei der italienische Staat im Rahmen des EU-Chipgesetzes rund zwei Milliarden Euro zur Verfügung stellt. (jr)
