Wissenschaftler des Fraunhofer IPMS haben in Zusammenarbeit mit dem Unternehmen Globalfoundries ultraschnelle ferroelektrische FRAM-Speicher auf Hafniumoxid-Basis entwickelt und in eine bestehende industrielle Fertigungstechnologie integriert. Für diese Leistung erhalten sie den Wissenschaftspreis des Stifterverbandes »Forschung im Verbund«.
Die Forschenden entwickelten einen reproduzierbaren Ansatz, um ferroelektrische FRAM-Zellen in den Technologieknoten 22FDX von GlobalFoundries einzubetten. Diese Plattform ist speziell auf die Herstellung von Ultralow-Power-Mikrochips ausgelegt.
Die neuartigen Speicherzellen arbeiten mit energiesparenden Betriebsspannungen unter einem Volt, schalten in wenigen Nanosekunden und weisen eine hohe Zyklenfestigkeit auf, das heißt, sie überstehen viele Schreib- und Löschvorgänge zuverlässig.
Die neue Speichertechnologie ist besonders für Anwendungen relevant, bei denen Energieeffizienz entscheidend ist, beispielsweise für autonome Sensoren, batterie- oder akkubetriebene Systeme oder Künstliche Intelligenz direkt im Gerät. (jr)
