Cambridge GaN Devices (CGD) hat einen 650-V-GaN-Leistungsbaustein für den Einsatz in elektrischen Antriebssträngen vorgestellt. Der neue ICeGaN-IC zielt auf eine höhere Effizienz von Traktionswechselrichtern und soll kompaktere sowie leichtere Inverterarchitekturen ermöglichen.
Ein Schwerpunkt der Entwicklung liegt auf dem Parallelbetrieb mehrerer GaN-Leistungsbausteine. Während die Stromaufteilung bei parallel geschalteten Halbleitern häufig zusätzlichen Schaltungsaufwand erfordert, übernimmt die ICeGaN-Architektur laut Hersteller die Lastverteilung zwischen den Bauteilen ohne zusätzliche Abgleichkomponenten.
Der Baustein weist einen Einschaltwiderstand von 9 mΩ auf. Zur Vereinfachung der Systemintegration verfügt der IC über eine integrierte Schnittstelle zum Gate-Treiber. Eine zusätzliche Transistorstruktur soll Störeinflüsse aus den Gate-Ansteuerschleifen reduzieren und die Störfestigkeit verbessern. Darüber hinaus ist eine integrierte Temperaturerfassung für Diagnose- und Überwachungsfunktionen vorgesehen.
CGD hat bereits einen mehrstufigen 800-V-Wechselrichter auf GaN-Basis demonstriert, der Elektromotoren mit mehr als 100 kW Spitzenleistung beziehungsweise 75 kW Dauerleistung antreiben kann. Muster des neuen 9-mΩ-ICs stehen nach Unternehmensangaben für Evaluierungen zur Verfügung. Das Unternehmen arbeitet nach eigenen Angaben derzeit mit mehreren Automobilherstellern und Tier-1-Zulieferern an Anwendungen für elektrische Antriebsstränge. (oe)
