Technologie-Radar
Renesas: 3-nm-TCAM-Speicher mit hoher Dichte und geringen Stromverbrauch
Die neuen Speicher basieren auf einem 3-nm-FinFET-Prozess und eigenen sich wegen der verbesserten funktionalen Sicherheit für Automotive-SoCs.
TCAM (ternary content-addressable memory)