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Infineon: High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz
SPOC Wire Guard bietet High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz und einer über SPI konfigurierbaren Strombegrenzung.
power management IC (PMIC)
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ST: 8-Kanal-Gate-Treiber für 48-V-Systeme
Der Gate-Treiber L98GD8E vereint die Konformität mit ISO 21780 mit der Flexibilität eines 8-Kanal-Systems für 48-V-Mild-Hybrid- und Nebenaggregate.
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ROHM: Skalierbare SoC-Stromversorgung
Die konfigurierbare Stromversorgungslösung von Rohm kombiniert PMICs der BD968xx‑C Serie mit dem DrMOS BD96340MFF‑C für eine optimierte SoC-Stromversorgung.
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Diodes: Mehrphasen-SPI-Boost-Controller
Der AL8859Q ist ein zweiphasiger SPI-Boost-Controller, der als Primärstufe in Stromversorgungsanwendungen wie adaptive LED-Beleuchtungssysteme.
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STMicroelectronics: High-Side-Treiber mit präziser Laststrommessung
Die Mess- und Schutzfunktionen des Bauteils bewältigen außergewöhnliche Spannungen und Temperaturen. Das Bauteil verfügt u. a. über eine Überspannungsklemme, thermische Transientenbegrenzung und eine konfigurierbare Sperrfunktion.
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MPS: High-Side-Leistungsschalter mit integrierter E-Fuse
Der MPQ5884-AEC1 kombiniert eine automotive-taugliche E-Sicherung mit geringem Durchgangswiderstand sowie einen High-Side-Leistungsschalter mit einem Modus für niedrigen Ruhestrom.
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Toshiba stellt Gate-Treiber-IC mit SPI-Ansteuerung vor
Der neue Gate-Treiber-IC ermöglicht die SPI-basierte Ansteuerung leistungsstarker DC-Bürstenmotoren und vereinfacht durch integrierte PWM-Funktionen und Diagnosefeatures die Systemarchitektur.
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Rohm: LDO-Regler mit 500 mA Ausgangsstrom
Proprietäre Regelungstechnik ermöglicht bei den LDO-Reglern der BD9xxN5-Serie den Einsatz kleinerer Ausgangskondensatoren.
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Toshiba: Gate-Treiber-IC für dreiphasige BLDC-Motoren
Der Baustein bietet flexibles Systemdesign, robusten Betrieb und unterstützt Single-Shunt-Systeme.
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ST: Achtkanal-Gatetreiber für 48-V-Bordnetze
Der Gate-Treiber L98GD8 von STMicroelectronics verfügt über acht vollständig konfigurierbare Kanäle zum Ansteuern von MOSFETs in High-Side- und Low-Side-Konfigurationen.