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STMicroelectronics: Leitungsschutzschalter mit Diagnosefunktion
Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter, die Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren. […]
Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter, die Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren. […]
Die für 600 V bzw. 650 V ausgelegten Superjunction-MOSFETs zeichnen sich durch ihre hohe Effizienz und Robustheit aus. […]
Die MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC sind für einen Drainstrom von -90 A bzw. -60 A ausgelegt. […]
Geringerer Widerstand, weniger Platzbedarf, größere Avalanche-Festigkeit: PANJITs neue 30 V und 40 V LV-Automotive-MOSFETs. […]
Neue Bausteine bieten gegenüber Vorgängern einen niedrigeren Durchlasswiderstand und kleinere Abmessungen. […]
Infineon präsentiert 60-V- und 120-V-OptiMOS 5 MOSFETs in TOLx-Gehäusen für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte. […]
Die neuen Silziumkarbid-Bausteine bieten eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkosten. […]
Schnell schaltende MOSFETs und integrierte Halbbrücken-Leistungsmodule mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) pro Schaltposition in Standardgehäusen […]
Die OptiMOS 7 40V MOSFET-Familie von Infineon kombiniert die 300-mm-Dünn-Wafer-Fertigung mit innovativem Packaging und bietet so deutliche Leistungsvorteile in sehr kleinen Gehäusen. Laut Unternehmensangaben zeichnen sie sich durch die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz mit dem […]
Die 40 V-n-Kanal-MOSFETs XPQR3004PB und der XPQ1R004PB nutzen das L-TOGL-Gehäuse mit großen Transistorumrissen und Gull-Wing-Anschlüssen. Wegen der bessere Wärmeableitung des Gehäuses können die Leistungshalbleiter höhere Ströme handhaben. […]
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