News
CGD: GaN-HEMT-IGBT-Kombination für Antriebslösungen über 100 kW
Combo ICeGaN bietet hohe Effizienz für Traktionsanwendungen über 100 kW und ist dabei wirtschaftlicher als SiC-Lösungen
Leistungselektronik
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Nexperia: Spannungsregler mit niedrigem Ruhestrom
Die LDOs bieten einen geregelten und geschützten Ausgang über einen weiten Eingangsspannungsbereich, auch unter Kaltstartbedingungen.
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dSPACE: Precise real-time simulation for high-frequency power electronics
The solution supports switching frequencies of up to 500 kHz and offers an extensive library of ready-to-use models based on modern SiC and GaN semiconductors.
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dSPACE: Präzise Echtzeitsimulation für Hochfrequenz-Leistungselektronik
Die Lösung unterstützt Schaltfrequenzen bis zu 500 kHz und bietet eine umfangreiche Bibliothek einsatzfertiger Modelle auf Basis moderner SiC- und GaN-Halbleiter.
Fachberichte & White Paper
White Paper: Entwurfs- und Verifikationsansatz für das Design von Leistungsmodulen
Der Siemens-Beitrag stellt wichtige Aspekte des Moduldesigns vor und wie Siemens-Tools dabei helfen können, mit weniger Prototypen auszukommen.
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Nexperia: DC-DC-Abwärtswandler mit niedrigem Ruhestrom
Textauszug max 35 Wörter
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Power Integrations: 1.700-V-AC/DC-Wandler-ICs mit großer Kriechstrecke
Flyback-Schalter InnoSwitch 3-AQ erfüllt die Isolationsnorm IEC60664-1
News
onsemi und Würth Elektronik: Virtuelles Design von Leistungselektronik-Anwendungen
Der Generator für Verlustleistungsmodelle umfasst jetzt auch passive Komponenten, um Designs noch genauer zu modellieren.
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Infineon: Power module uses silicon-SiC combination
With HybridPACK Drive G2 Fusion for traction converters, Infineon combines silicon and silicon carbide technology in one module for the first time.
Branchen-News
Infineon: 20µm-dicke Silizium-Power-Wafer
Reduzierung der Wafer-Dicke sowie Halbierung des Substratwiderstands führen zu 15 % weniger Leistungsverluste in Power-Systemen.