Branchen-News
Infineon und HL Klemove: Kooperation bei Zonensteuergeräten, ADAS und Radartechnik
Infineon Technologies und HL Klemove haben eine Absichtserklärung zur erweiterten Zusammenarbeit im Automotive-Bereich unterzeichnet.
Kooperation
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Harman bringt mit Qualcomm generative KI ins Cockpit
Kooperation mit Qualcomm bei KI-Funktionen für ADAS- und Cockpit-Lösungen von Harmann
Branchen-News
NTT DATA: SDV-Ökosystem in Zusammenarbeit mit Desay SV
Unternehmen wollen ein vernetztes Ökosystem für OEMs und Endkunden entwickeln, das den gesamten digitalen Raum abdeckt – vom Fahrzeug über die Cloud bis hin zur mobilen App.
Branchen-News
Hyundai: Bis 2028 fünf mit GM gemeinsam entwickelte Fahrzeuge
Entwicklung der ersten von GM und Hyundai gemeinsam für den amerikanischen Markt entwickelten Fahrzeuge ist bereits angelaufen.
Branchen-News
Infineon: Visteon nutzt SiC- und GaN-Produkte
Infineon und Visteon unterzeichnen Absichtserklärung zur gemeinsamen Entwicklung von Antriebssträngen der nächsten Generation für Elektrofahrzeuge.
Branchen-News
CISSOID: Entwicklung von SiC-Traktionsumrichtern mit EDAG
CISSOID und die EDAG Group bieten gemeinsam Unterstützung bei der Entwicklung von SiC-Traktionswechselrichtern für die Elektromobilität.
Branchen-News
IQE/X-FAB: Entwicklungsvereinbarung für GaN-Halbleiter
Unternehmen entwickeln gemeinsam eine marktreife GaN-Leistungshalbleiterplattform mit einem skalierbaren, ausgelagerten Fertigungsmodell.
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Fusion Processing: Kooperation mit Construct Invest bei automatisierten Bussen
Unternehmen wollen gemeinsam vollautomatische Elektrobusse der Stufe 4 für den Personentransport auf Flughäfen anbieten.
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RENK Group und NXP kooperieren für softwaredefinierte Antriebssysteme
Ziel ist die gemeinsame Entwicklung von Hardware- und Softwarelösungen, um Antriebssysteme intelligenter und flexibler zu gestalten.
Branchen-News
Mazda und Rohm entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten auf GaN-Basis
Mazda und ROHM entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten für eine Markteinführung 2027 unter Verwendung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern