Halbleitermaterial Archive

Forschenden gelingt Aufwachsen einkristalliner polarer Wurtzit-NbAlN-Dünnschichten auf GaN-Substraten

8. September 2026

Verdreifachte Elektronendichte an der Grenzfläche in einer GaN-Heterostruktur eröffnet neue Möglichkeiten für die polarisationsbasierte Materialentwicklung.

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Methode zur Aufbringung von Germaniumschichten auf Siliziumsubstraten ermöglicht neuartige Halbleiterbausteine

4. September 2026

Forscher nutzt Molekularstrahlepitaxie und niedrige Substrattemperaturen zur Erzeugung von 4 nm dicken Germaniumschichten auf Siliziumsubstrat ohne störende Quantenpunkte.

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Halbleiterindustrie setzt auf ungeeignete 2D-Materialien

22. April 2026

Viele 2D-Materialien sind wegen zu schwacher Verbindung zwischen Isolierschicht und 2D-Material für den Aufbau fortschrittlicher Transistoren ungeeignet. TU Wien findet Lösung

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MIT-Ingenieure stapeln Chiplagen ohne trennende Silziumsubstrate

23. Dezember 2024

Mit neuer Methode hergestellte 3D-Chip könnten eine Rechenleistung auf Supercomputer-Niveau in tragbaren Geräten ermöglichen.

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TU Graz: Neues Labor erforscht Halbleitermaterialien auf Basis von Hydosilanen

22. November 2024

Mit energie- und ressourcensparenden Methoden sollen hochwertige dotierte Siliziumschichten für die Elektronik- und Solarbranche ermöglicht werden.

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Neues Halbleitermaterial Aluminiumyttriumnitrid für energieeffizientere Elektronik

15. August 2024

Aufgrund seiner Materialeigenschaften und seiner Anpassungsfähigkeit an GaN kann AlYN zu deutlich energieeffizienteren Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik führen.

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AEEmobility

Der Information Hub für Automobilelektronikentwickler

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