Toshiba stellt die -60 V-p-Kanal-MOSFETs MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC vor, die auf dem eigenen U-MOS-VI-Prozess basieren.
Der XPH8R316MC ist für einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von -90 A und der XPH13016MC für -60 A ausgelegt. Der gepulste Drainstrom (IDP) ist mit -180 A bzw. -120 A doppelt so hoch. Beide Bausteine sind für eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von -60 V ausgelegt und können bei Kanaltemperaturen (Tch) von bis zu 175 °C betrieben werden.
Der maximale Durchlasswiderstand (RDSON) des XPH8R316MC beträgt 8,3 mΩ und ist damit etwa 25 % niedriger als beim bisherigen TPCA8123 von Toshiba. Der XPH13016MC bietet hier einen Wert von 12,9 mΩ, der in etwa 49 % niedriger ist als beim TPCA8125.
Die neuen Bausteine befinden sich bereits in der Serienfertigung. (jr)
