Infineon ist es nach eigenen Angaben gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid-Wafer-Technik für die Leistungselektronik zu entwickeln und diese auf einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenlinie zu fertigen.
Zum Einsatz kam dabei eine integrierte Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion der Power-Fab am Standort Villach (Österreich). Bei der Entwicklung der neuen Technik hat Infineon auf seine Kompetenz in der 300-Millimeter-Silizium- und 200-Millimeter-GaN-Produktion zurückgegriffen. Der Halbleiterhersteller will die GaN-Kapazitäten entsprechend den Marktbedürfnissen weiter ausbauen.
Infineon wird die ersten 300-Millimeter-GaN-Wafer auf der Branchenmesse electronica im November 2024 in München der Öffentlichkeit vorstellen. (jr)
