Branchen-News
Automotive SerDes Alliance: Plugfest für den neuen PMA CTS-Entwurf
Die ASA hat die neuesten Entwicklungen im ASA PMA CTS-Entwurf mit einem Plugfest getestet und validiert.
Artikel von Klaus Oertel
Technologie-Radar
Gefahrenstelle Kreuzung: Halbzeit im Projekt DEKOR-X
Projektpartner stellten Test- und Forschungsergebnisse für dezentrale Kommunikation an Kreuzungen vor.
Branchen-News
KBA-Marktüberwachung zu Cybersicherheit, ADAS und Car2X-Kommunikation
Das Kraftfahrt-Bundesamt (KBA) hat seinen Marktüberwachungsbericht 2023 veröffentlicht und gibt Einblick in seine Prüftätigkeit und die gewonnenen Erkenntnisse.
Fachberichte & White Paper
Fachbeitrag: Komponenten und ihre Ausfallraten beim autonomen Fahren
In diesem Beitrag werden die typischen Komponenten eines autonomen Fahrzeugs identifiziert und eine Übersicht über deren Ausfallwahrscheinlichkeiten gegeben.
Technologie-Radar
Projekt MarrakEsH: DC-Kopplung und grüner Wasserstoff
Durch die direkte DC-Kopplung verschiedener Energieerzeuger und -speicher soll die Effizienz und Leistungsdichte des Gesamtsystems erhöht werden.
Branchen-News
Fraunhofer/Bosch: Tool für systematische Change-Impact-Analysen
Es wurde ein Prozess für Change-Impact-Analysen entwickelt, der sich an der bestehenden Praxis des Kunden und der Norm ISO 26262 orientiert.
Branchen-News
Silicon 100: Startups Worth Watching in 2024
Die 24. Ausgabe der Silicon 100, einer jährlichen Liste der 100 vielversprechendsten Elektronik- und Halbleiter-Startups, ist da!
Fachberichte & White Paper
Interview: Release of Post-Quantum Cryptographic Standards is imminent
Das Interview unterstreicht die Dringlichkeit und Komplexität der Umstellung auf PQC und bietet gleichzeitig eine klare Roadmap für die nächsten Schritte.
Branchen-News
CARIAD China entwickelt neue China Electronic Architecture
Ab 2026 soll in Volkswagens Elektrofahrzeugen in China die neue Architektur CEA eingesetzt werden.
Technologie-Radar
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
Verglichen mit etablierten Silizium-Bauelementen bieten die AlN/GaN-HEMTs bis zu dreitausendmal weniger Leitungsverluste als mit Silizium.