Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter für Automobilanwendungen, die intelligente Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren. Der vierkanalige VNF9Q20F ist das erste Produkt einer neuen Familie, das beim Erkennen eines zu hohen Stroms binnen 100 µs anspricht, um den MOSFET abzuschalten. Mit seinen 64 programmierbaren Grenzströmen bietet das STi2Fuse-Element Designern die Möglichkeit, das Überlastverhalten exakt festzulegen. Ein integrierter 10-bit-AD-Wandler und Fehlerregister ermöglichen die Rückmeldung von Diagnoseinformationen und digitalen Stromwerten. Durch die Bereitstellung von Diagnosedaten per SPI und die eingebauten Selbsttest-Funktionen werden die Bedingungen für bestimmte SIL gemäß ISO 26262 erfüllt. Ein eingebauter Failsafe-Modus sorgt für die Beibehaltung des Betriebszustands im Fall einer Störung oder Fehlfunktion. (oe)
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Die Trägheitsmesseinheit ASM330LHHXG1 von STMicroelectronics verbindet eingebaute KI-Funktionen mit Low-Power-Eigenschaften und einem Temperaturbereich bis 125 °C.
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Die Unternehmen haben die nächste Stufe ihrer Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-Substraten angekündigt.
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Infineon: 1.200V-Trench-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse
Die neuen Silziumkarbid-Bausteine bieten eine hohe Leistungsdichte und Effizienz bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkosten.