Die 40 V-n-Kanal-MOSFETs XPQR3004PB und der XPQ1R004PB nutzen das L-TOGL-Gehäuse mit großen Transistorumrissen und Gull-Wing-Anschlüssen. Wegen der bessere Wärmeableitung des Gehäuses können die Leistungshalbleiter höhere Ströme handhaben. Die Drain-Stromwerte liegen bei 400 A bzw. 200 A, die Durchlasswiderstandswerte bei 0,3 mOhm repektive 1 mOhm.
Der Kontakt zwischen Source-Anschluss und die externen Anschlüssen wird mit einem innovativen Kupferclip ohne Lötverbindung hergestellt. Eine Multi-Pin-Struktur für die Source-Leitungen reduziert den Gehäusewiderstand (und die damit verbundenen Verluste) um etwa 70 % im Vergleich zum bestehenden TO-220SM(W)-Gehäuse. Der daraus resultierende Drain-Strom (ID) des XPQR3004PB ist um 60 % höher als der des TKR74F04PB, der im TO-220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert wird. Darüber hinaus reduziert der dicke Kupferrahmen den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse erheblich. Dieser beträgt 0,2°C/W für den XPQR3004PB und 0,65°C/W für den XPQ1R004PB. Dies erleichtert die Wärmeableitung, senkt die Betriebstemperaturen und erhöht die Zuverlässigkeit. (jr)
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