Zur Stärkung der Lieferkette wird Cambridge GaN Devices (CGD) zukünftig den 8-Zoll-Prozess des Halbleiterherstellers Globalfoundries (GF) für die Herstellung seiner ICeGaN-Leistungshalbleiter nutzen.
Diese GaN-Leistungshalbleiter kombinieren einen GaN-Schalter, eine Schnittstelle und eine Schutzschaltung auf demselben Chip. Die Technik kommt dabei mit Standard-Si-MOSFET-Treibern aus und kann kostengünstig unter Verwendung eines Standard-Si-CMOS-Wafer-Fertigungsprozesses, wie er von GF genutzt wird, produziert werden.
Das ICeGaN-IP lässt sich leicht auf neue Foundries übertragen. Darüber hinaus basiert der CGD-Design-Flow auf jahrelanger Erfahrung mit GaN-Technologie und ermöglicht durch eine bewährte Methodik eine schnelle Portierung des Fabrikationsprozesses. Fortschrittliche Algorithmen für maschinelles Lernen werden auf proprietäre Testchip-Charakterisierungsdaten angewendet, um die Modelle zu verfeinern und so eine zeitnahe Lieferung der neuesten CGD-Produkte mit zuverlässiger und vorhersagbarer Leistung zu ermöglichen.
Diese Fähigkeit gewährleistet „Right-First-Time”-Designs und ermöglicht es, ICeGaN-Leistungsbauelemente in kürzerer Zeit auf den Markt zu bringen. Zudem verschafft sie CGD die Flexibilität, innovativ zu sein und schnell auf die sich verändernde Anwendungslandschaft zu reagieren. (jr)
