ROHM erweitert sein Simulationsportfolio um neue Level-3-SPICE-Modelle für SiC-MOSFETs, die durch verbesserte Rechenstabilität und deutlich verkürzte Simulationszeiten überzeugen.
Während ROHMs bisherige Level-1-Modelle eine hohe Genauigkeit bei der Abbildung physikalischer Eigenschaften boten, konnten sie bei komplexen Simulationen Konvergenzprobleme und lange Laufzeiten verursachen. Die neuen L3-Modelle bieten hier eine optimierte Balance aus Modellvereinfachung und Genauigkeit. Sie ermöglichen eine realitätsnahe Transientenanalyse bei rund 50 % kürzerer Simulationszeit gegenüber den L1-Modellen – ohne Einbußen bei der Darstellung relevanter Schaltvorgänge. Entwickler profitieren so von einer effizienteren Bauelementauswahl und beschleunigten Entwicklungszyklen.
Seit April 2025 stehen insgesamt 37 SPICE-Modelle für die 4. Generation der SiC-MOSFETs zur Verfügung. Die Modelle können im Bereich „Modelle & Tools“ auf den jeweiligen Produktseiten heruntergeladen werden. Zusätzlich stellt ROHM ein ausführliches White Paper zur Verfügung, das Anwender bei der Einführung und Nutzung der L3-Modelle unterstützt. Die bisherigen L1-Modelle bleiben weiterhin parallel verfügbar. (oe)
