Galliumnitrid wird zwar schon in einigen elektronischen Geräten eingesetzt, aber es nicht genau bekannt, wie sich Galliumnitrid-Bauteile bei Temperaturen von mehr als 300 Grad, der Betriebsgrenze herkömmlicher Siliziumelektronik, verhält. In einer neuen, in der Zeitschrift Applied Physics Letters veröffentlichten Arbeit hat ein Team von Wissenschaftlern des MIT und anderer Institute versucht, wichtige Fragen zu den Eigenschaften und der Leistung des Materials bei extrem hohen Temperaturen zu beantworten.
Sie untersuchten dazu die Auswirkungen der Temperatur auf die ohmschen Kontakte in einem Galliumnitrid-Bauelement. Die Forscher fanden heraus, dass extreme Temperaturen das Galliumnitridmaterial oder die Kontakte nicht nennenswert beeinträchtigen. Sie waren überrascht zu sehen, dass die Kontakte selbst bei einer Temperatur von 500 Grad Celsius für 48 Stunden strukturell intakt blieben.
In Zukunft wollen die Forscher ihre Erkenntnisse aus diesen Experimenten nutzen, um Hochtemperaturtransistoren aus Galliumnitrid zu entwickeln.
Transistoren könnten auch auf der Erde in der Elektronik für Anwendungen wie die Gewinnung geothermischer Energie oder die Überwachung des Inneren von Düsentriebwerken eingesetzt werden. (jr)
