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X-FAB: Verdoppelung der BCD-on-SOI-Wafer-Kapazität in Malaysia
X-FAB eröffnet neuen Reinraum in Malaysia und steigert die Kapazität für 180-nm-BCD-on-SOI-Halbleiter um mehr als das Doppelte.
X-Fab
Branchen-News
IQE/X-FAB: Entwicklungsvereinbarung für GaN-Halbleiter
Unternehmen entwickeln gemeinsam eine marktreife GaN-Leistungshalbleiterplattform mit einem skalierbaren, ausgelagerten Fertigungsmodell.
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X-FAB: Embedded Flash-IP zur Fertigung in 110-nm-BCD-on-SOI-Technik
Neue IP kombiniert Flash- und EEPROM-Elemente für verbesserte Datenhaltung und hohe Betriebszuverlässigkeit.
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X-FAB: Bildsensoren mit Back-Side-Beleuchtung
Neue Sensorarchitektur vereint eine höhere Empfindlichkeit und eine größere Pixelgröße mit einer größeren Sensorfläche.