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Siemens: Zentrale EDA-Tools erhalten Zertifizierung für fortschrittliche TSMC-Prozesse
Calibre nmPlatform, Analog FastSPICE (AFS) und Solido von Siemens sind für die N2P- und A16-Prozesse von TSMC zertifiiziert.
TSMC
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TSMC: Richtfest für zweite Phase der 2-nm-Fab 22 in Taiwan
Die 2-nm-Prozesstechnologie von TSMC soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 am Fab-Standort in Taiwan in die Volumenproduktion gehen.
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TSMC: Pläne für Investitionen in den USA auf 165 Mrd. US-Dollar erhöht
TSMC plant zusätzliche drei Produktionsstätten, zwei fortschrittliche Verpackungsanlagen und ein Forschungs- und Entwicklungszentrum in den USA
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Rohm: 650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse
Dieses kompakte Gehäuse bietet eine sehr gute Wärmeableitung, hohe Stromkapazität und eine optimierte Schaltleistung.
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Honda und Renesas: Vereinbarung zur Entwicklung eines Hochleistungs-SoCs für SDV
Dieses SoC soll eine KI-Leistung von 2.000 TOPS und eine Energieeffizienz von 20 TOPS/W bieten und ist für die neue Elektrofahrzeugserie „Honda 0 Series“ vorgesehen.
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Rohm: Strategische Zusammenarbeit mit TSMC im Bereich Galliumnitrid-Halbleiter
Im Rahmen der Partnerschaft sollen GaN-Leistungshalbleiter für E-Fahrzeuge entwickelt und produziert werden.
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TSMC: Bord of Directors genehmigt Investitionen in Höhe von 4.3 Mrd. US$
Die Mittel sollen u.a. für den Aufbau von weiteren Produktionskapazitäten verwendet werden.
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Bosch: TSMC, Bosch, Infineon und NXP planen Joint Venture für den Bau einer 300mm-Fab in Dresden
Ziel des Joint Venture ist der Bau und Betrieb einer modernen 300-Millimeter-Fabrik zur Halbleiterfertigung in Dresden.
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NXP und TSMC präsentieren ersten Embedded MRAM
NXP Semiconductors hat gemeinsam mit TSMC einen Embedded MRAM in 16-nm- FinFET-Technologie entwickelt. Der Speicher kann 20 MB Code in weniger als drei Sekunden aktualisieren und minimiert so die mit Software-Updates verbundenen Ausfallzeiten.