Die jetzt vom TSMC-Vorstand genehmigten Kapitalmittel in Höhe von ca. 4.341,95 Millionen US-Dollar sollen für den Aufbau von Produktionskapazitäten für fortschrittliche und ausgereifte sowie Spezial-Halbleitertechnologien und das Packaging verwendet werden. Zudem sollen von der Summe bisher geleaste Vermögenswerte aktiviert werden. (jr)
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Infineon: 300-Millimeter-GaN-Wafer
Infineon nutzt bestehende 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung für GaN-Produktion und maximiert so die Effizienz des Kapitaleinsatzes.
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Rechnungshof: EU-Ziel von 20 Prozent der Chip-Produktion bis 2023 wird deutlich verfehlt
Bis 2023 werden voraussichtlich wertanteilig nur 11,7 % der Mikrochips in der EU gefertigt. Rechnungshof fordert Realitätscheck der EU-Strategie.
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Rohm: Strategische Zusammenarbeit mit TSMC im Bereich Galliumnitrid-Halbleiter
Im Rahmen der Partnerschaft sollen GaN-Leistungshalbleiter für E-Fahrzeuge entwickelt und produziert werden.