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Toshiba: Zwei neue -60V-p-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC sind für einen Drainstrom von -90 A bzw. -60 A ausgelegt.
Toshiba Electronics
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Toshiba: MOSFETs im neuen Gehäuse
Neue Bausteine bieten gegenüber Vorgängern einen niedrigeren Durchlasswiderstand und kleinere Abmessungen.
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Toshiba: 2200-V-SiC-MOSFETs
Toshiba stellt einen neuen Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET für 1500 VDC-Anwendungen vor, der sich z. B. für Ladegeräte für Elektrofahrzeuge eignet.
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Toshiba: Entwicklungsbord für Motorsteuerungen
Die Toshiba Electronics Europe GmbH hat zusammen mit MikroElektronika (MIKROE) den DC-Motor-Treiber-IC TB9053 in das DC Motor 26 Click Board integriert, um die Entwicklung von Automotive-Anwendungen zu beschleunigen.
Branchen-News
Toshiba Electronics: Peter Lieberwirth wird Europa-Chef
Die Toshiba Electronics Europe GmbH hat Peter Lieberwirth mit Wirkung zum 1. Juli zum neuen President und CEO ernannt. Er folgt auf Tomoaki Kumagai.
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Toshiba: n-Kanal-MOSFETs mit verbesserter Wärmeableitung für höhere Ströme
Die 40 V-n-Kanal-MOSFETs XPQR3004PB und der XPQ1R004PB nutzen das L-TOGL-Gehäuse mit großen Transistorumrissen und Gull-Wing-Anschlüssen. Wegen der bessere Wärmeableitung des Gehäuses können die Leistungshalbleiter höhere Ströme handhaben.