News
Toshiba: MOSFETs im neuen Gehäuse
Neue Bausteine bieten gegenüber Vorgängern einen niedrigeren Durchlasswiderstand und kleinere Abmessungen.
Toshiba Electronics
News
Toshiba: 2200-V-SiC-MOSFETs
Toshiba stellt einen neuen Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET für 1500 VDC-Anwendungen vor, der sich z. B. für Ladegeräte für Elektrofahrzeuge eignet.
News
Toshiba: Entwicklungsbord für Motorsteuerungen
Die Toshiba Electronics Europe GmbH hat zusammen mit MikroElektronika (MIKROE) den DC-Motor-Treiber-IC TB9053 in das DC Motor 26 Click Board integriert, um die Entwicklung von Automotive-Anwendungen zu beschleunigen.
Branchen-News
Toshiba Electronics: Peter Lieberwirth wird Europa-Chef
Die Toshiba Electronics Europe GmbH hat Peter Lieberwirth mit Wirkung zum 1. Juli zum neuen President und CEO ernannt. Er folgt auf Tomoaki Kumagai.
News
Toshiba: n-Kanal-MOSFETs mit verbesserter Wärmeableitung für höhere Ströme
Die 40 V-n-Kanal-MOSFETs XPQR3004PB und der XPQ1R004PB nutzen das L-TOGL-Gehäuse mit großen Transistorumrissen und Gull-Wing-Anschlüssen. Wegen der bessere Wärmeableitung des Gehäuses können die Leistungshalbleiter höhere Ströme handhaben.