IKZ: BMBF fördert Projekt All-GO-HEMT zur Entwicklung hocheffizienter β-Galliumoxid-Heterostrukturen
Das mit knapp 2 Mio. geförderte Projekt soll die Grundlagen für die Nutzung des UWBB-Materials Ga2O3 in der Leistungselektronik schaffen. […]
Das mit knapp 2 Mio. geförderte Projekt soll die Grundlagen für die Nutzung des UWBB-Materials Ga2O3 in der Leistungselektronik schaffen. […]
Rohm stellt hier den Aufbau und das Prinzip der einfacheren Zweiflanken-Rechteckschaltung zur Ansteuerung von GaN-HEMT der komplexeren Einflanken-Resonanz-Schaltung gegenüber. […]
Der Fachbeitrag behandelt die Grundlagen und Vorteile von ICss auf GaN-Basis sowie die Hürden, die bis zur Kommerzialisierung zu bewältigen sind. […]
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